TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0155K561

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  • TDK突波吸收電容
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TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0155K561

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容,聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容,兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭,而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下:

1. 在高頻條件下,CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下,CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小,在頻率為1kHz的條件下,一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001,而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好,優(yōu)于其他電容器,而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳,比如在容量小于0.33uF時,CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ,而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比,CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小,相同電壓,相同容量的情況下,
CL電容的體積可以做得比CBB電容小,這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳,但是價格更貴,因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容,光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同,推薦以下兩種方法供大家參考:

1. 測損耗值,若是小于0.001則為CBB電容,反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風來進行試驗,先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值,
然后用吹風加熱電容器,再測電容值,若電容值變化過大,則為CL電容,反之為CBB電容。


薄膜電容器的優(yōu)點及其制作方法的詳細介紹

薄膜電容器的優(yōu)點與制作方法

薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要特性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應寬廣),而且介質(zhì)損失很小。

基于以上的優(yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部分,必須使用頻率特性良好,介質(zhì)損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當中,又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著,當然這兩種電容器的價格也比較高。

然而音響器材為了提升聲音的品質(zhì),所采用的零件材料已愈來愈高級,價格并非最重要的考量因素,所以PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材,號稱用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容,以做為在聲音品質(zhì)上的標準,其道理就在此。

通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法,叫做金屬化薄膜(Metallized Film),其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度,縮小電容器單位容量的體積,所以薄膜電容器較容易做成小型,容量大的電容 器。

薄膜電容器的濾波作用

薄膜電容器,也是一種音頻電容,經(jīng)常在各種音響、功放機、耳機、話筒等地方使用,這些電路中需要濾波電容,而使用聚酯膜的軸向薄膜電容可以使用在濾波電路中,因此備受音頻生產(chǎn)廠家的好評。那么薄膜電容器在濾波電路中起到什么作用呢?我們來了解一下。

濾波就是過濾信號中的特定波段頻率的操作,是抑制和防止干擾的有效手段。濾波電路就是允許一定頻率范圍的信號能夠正常無損的通過,同時阻止另一頻率范圍的信號通過。利用這種濾波電路可以提取出有用的信號,這種電路最開始運用在通信領域。薄膜電容之所以可以運用于這種電路中,是因為它在濾波電路中可以消除電壓中的脈動,吸收電壓的波峰,消除電壓的波谷。也就是上面所說的的:通過一定頻率范圍的信號,同時阻止一定頻率范圍的信號。

要注意的是,當薄膜電容器使用在濾波電路中時,我們應該注意到濾波電路中的紋波頻率是多少HZ,紋波電流是多少mA,直流電壓是多少V,交流電壓又是多少V,以確保選擇合適的薄膜電容運用到濾波電路中去。

薄膜電容器在不同場合下的作用

薄膜電容器是以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的電容器,它主要被廣泛的使用在模擬信號的交連以及其他電源處。
薄膜電容器的工作原理:
通過在電極上儲存電荷儲存電能,通常與電感器共同使用形成LC振蕩電路,在電場中會受力而移動,當導體之間有了介質(zhì),則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上,造成電荷的累積儲存。

薄膜電容器的優(yōu)點:
在電力電子線路中,薄膜電容主要作用是起著電力電流的一個緩沖以及箝位、諧振旁路以及抑制電源電磁的干擾
把薄膜電容用在旁路時,它的作用是降低直流母線的阻抗以及吸收來自負載的紋波電流,從而起到有效地抑制直流母線電壓在因負載突變而出現(xiàn)的波動
當該裝置用于諧振式變換器時,它能與電感一起實現(xiàn)諧振的功能
它所適用的溫度的范圍是比較寬的,受溫度的限制比較小
它的使用壽命超長,只要沒有損壞,幾乎是不會有使用壽命的限制,可以長期一直的使用
它屬于金屬化電極,具有自愈功能,在有小的損壞時,能夠自動修復
在工作時,可以承受很高的電壓;在使用時,使用頻率特性比較良好

導致薄膜電容器失效的原因:
電容耐壓不夠導致電壓擊穿薄膜,導致電容器失效
使用電流超過電容所能承受的大電流,導致電容器失效
電容器里面有空氣,導致失效
金屬化膜薄氧化,導致電容器失效

薄膜電容器應用時的注意事項
首先要注意仔細觀察工作電壓的狀態(tài),在工作電壓非常不穩(wěn)定時,就先不要使用薄膜電容器,之后再看電壓的變化速度,速度比較穩(wěn)定是即可使用,要滿足流過電容器的有效值電流和峰值電流。

薄膜電容器推動新能源科技發(fā)展

中國在2011年7月提出了電子元件“十二五”規(guī)劃,內(nèi)容包括新型片式化、小型化、集成化、高可靠電子元件產(chǎn)品、我國新型交通裝備需求的高質(zhì)量、關鍵性電子設備以及電子元件、節(jié)能環(huán)保設備以及電子元件、新一代通信技術設備的電子元件、智能電網(wǎng)產(chǎn)品配套的電子元件等。這些將推動薄膜電容器行業(yè)的發(fā)展。

近幾年薄膜電容行業(yè)發(fā)展非常迅速,我國聚丙烯電子薄膜上電容器的復合增長率在15%以上,薄膜電容器得到了高速發(fā)展同比增長14.6%,行業(yè)的市場規(guī)模驚人地達到了61.58億元,這表明電容薄膜在我國的發(fā)展已勢不可擋。

在國家政策以及環(huán)保問題情況下,中國新能源汽車市場逐漸發(fā)展,2015年的市場產(chǎn)銷量和2011-2014年的產(chǎn)銷數(shù)據(jù)形成鮮明對比。2016和2017年,國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)銷量規(guī)模保持45%以上增速,尤其是市場銷量兩年的平均增速高達53%。到了2017年,我國全年新能源汽車產(chǎn)量為79.4萬輛,銷量為77.7萬輛。單臺新能源乘用車的薄膜電容價值500-1000元,單臺新能源客車薄膜電容價值在1000-2000元,結合新能源汽車網(wǎng)公布的中國新能源乘用車和客車銷售數(shù)據(jù),2017年我國新能源汽車在薄膜電容領域的市場規(guī)模為3.5億元,由于2017年中國新能源汽車銷量大致相當于全球總銷量的47%。

薄膜電容不止在汽車行業(yè)的飛速發(fā)展,在LED照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是瞬速的。2016年,LED已成為照明的主流光源。我國國內(nèi)LED照明產(chǎn)品產(chǎn)量約80億只,同比增長33%;國內(nèi)銷量約38億只,同比增長35%。LED照明產(chǎn)品的國內(nèi)銷售數(shù)量占到了總照明產(chǎn)品國內(nèi)銷售數(shù)量的42%,比2015年上升10個百分點。根據(jù)這樣的發(fā)展下去,薄膜電容的市場一片光明。

由此可見薄膜電容的出現(xiàn)也讓我們的科技有了飛躍的進步。

TDK集團新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器

TDK集團新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路,尺寸僅為40 mm x 58 mm(深x長),額定電壓為直流350 V DC,電容值為65 μF。這意味著,這款訂貨號為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度,可提供比同類競爭產(chǎn)品高出50%的電容量。此外,新電容器占用的印刷電路板 (PCB) 空間相對較小,且等效串聯(lián)電阻 (ESR) 僅為10 mΩ,紋波電流能力強,達3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料,均具備UL 94 V0的阻燃等級,工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設計,當溫度達到115 °C、電流達5 A時會自動跳閘。

其典型應用包括逆變器中的高頻濾波,如家用電器和一般直流應用中。

主要應用

逆變器的高頻濾波,一般直流應用

主要特點與優(yōu)勢

超緊湊尺寸:40 mm x 58 mm(深x長)

超高電容密度:0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 (ESR):僅10 mΩ

集成熱熔絲

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