泛光照明施工維修樓北京樓體照明

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數(shù)μm以內產(chǎn)生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。

隨著美國環(huán)保署于2011年10月公布新版固態(tài)照明燈具及光源產(chǎn)品上市規(guī)范，業(yè)界指出，備受關注的LM-80的光衰測試，預計將從2012年4月起強制實施，在新規(guī)范上路后，未來北美市場燈具廠商將優(yōu)先采購通過LM-80驗證的LED產(chǎn)品，對于未受驗證的臺灣LED封裝及晶粒廠，日后進軍美國市場恐將遭受阻礙。
由于LM-80的光衰驗證需經(jīng)過6,000小時測試，耗時長達6~8個月，部分LED業(yè)界認為，LED產(chǎn)品規(guī)格及技術日新月異，在經(jīng)過長達數(shù)個月后，LED照明驗證標準可能又將改變，故對此認證仍抱持存疑，不過工研= 表示，LM-80被視為進入美國市場的入場券，廠商必須出具LM-80(LED流明維持率)試驗的報告證書，才能取得能源之星標章，北美照明工程學會(IES)也已訂出LM-80的光衰減檢測標準，不僅為LED應用產(chǎn)品提供量測標準，也為消費者提供品質保證，將成為全球共通的檢測標準。

LED照明燈具里，底燈，吊燈，投射燈等裝飾用，反射用途的LED照明燈具可以完全勝任于任何場合，包括美術館，博物館等對顏色度要求較高的場所。但是對于商場，寫字樓等大規(guī)模設施來說，作為大范圍照明的LED燈具雖然已經(jīng)誕生，但是其指向性(LED芯片發(fā)出的光是直線，發(fā)散性不好)太高，造成大面積內設計平均的照度很困難。燈管型LED照明燈具排列過密，設計成本過高，失去節(jié)能效果。因此，現(xiàn)階段裝飾用途場合，LED照明燈具完全可用，大面積室內照明還不成熟。