CRRC二極管ZP9-1800-30感應(yīng)加熱售后保障

CRRC二極管ZP9-1800-30感應(yīng)加熱售后保障

可控硅特征
芯片與底板電氣絕緣
2500V交流電壓
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力
350V以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷。
安裝簡單，使用維修方便
體積小，重量輕
真空+氫氣保護(hù)焊接技術(shù)
典型應(yīng)用
交直流電機(jī)控制
各種整流電源
工業(yè)加熱控制
調(diào)光
無觸點(diǎn)開關(guān)
電機(jī)軟啟動
靜止無功補(bǔ)償
電焊機(jī)
變頻器
UPS電源
電池充放電
標(biāo)準(zhǔn)二極管模塊
特點(diǎn)：
*JEDECTO-240AA國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
*直接銅敷Al2O3陶瓷底板
*平面鈍化芯片
*隔離電壓3600伏
*阻斷電壓高達(dá)1800伏
*低正向壓降
*適用于PCB焊接的引線端子
*符合UL認(rèn)證，E148688
應(yīng)用：
*直流電流設(shè)備
*脈寬逆變器的輸入整流器
*脈寬逆變器的直流電源
*直流電機(jī)接地電源
*直流電源電池
優(yōu)勢代理供應(yīng)賽米控（西門康）SEMIKRON、歐派克（EUPEC）英飛凌（Infineon）IGBT可控硅模塊、二極管模塊。1999年5月1日，西門子半導(dǎo)體公司正式更名為Infineon，總部設(shè)在德國慕尼黑。
我們的產(chǎn)品質(zhì)量確保原裝，假貨，請放心購買，不像人家以次充好來忽悠廣大客戶。
應(yīng)用范圍：應(yīng)用UPS、開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動車輛、充電機(jī)、感應(yīng)加熱、軌道交通、電焊機(jī)以及新興的風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏發(fā)電、電動車、電機(jī)軟起動、靜止無功補(bǔ)償?shù)刃履茉葱袠I(yè)等領(lǐng)域。

晶閘管的檢測
1、判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門極G與陰極K極之間為一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。
2、觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時(shí)黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。

晶閘管損壞原因判斷
當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。