深圳半導(dǎo)體硅片激光鉆孔微小孔加工

產(chǎn)地	北京	分類	硅片切割
切割加工最小縫隙	0.05mm	加工厚度范圍	0.1--2mm
加工方式	激光切割	品牌	HE
微信號(hào)	13011886131	服務(wù)范圍	全國(guó)
硅片大小加工范圍	300mm	聯(lián)系人	張經(jīng)理

深圳半導(dǎo)體硅片激光鉆孔微小孔加工

硅片的分類：
硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；單晶生長(zhǎng)方法：?jiǎn)尉Ч杵?、多晶硅片；摻雜類型：N型、P型等參量和用途來(lái)劃分種類。

激光切割于傳統(tǒng)機(jī)械切割硅片相比，是一種行的加工方式，有一下幾點(diǎn)加工優(yōu)勢(shì)：
1、激光加工一步即可完成的、干燥對(duì)的加工過程。
2、邊緣光滑整齊，不需要后續(xù)的清潔和打磨。
3、激光加工的分離過程產(chǎn)生高強(qiáng)度、自然回火的邊緣，沒有微小裂痕。使用激光加工避免了不可預(yù)料的裂痕和殘破，提高了成品率。

激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個(gè)脈沖通過光學(xué)整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點(diǎn)區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，使得材料改性形成裂紋。每一個(gè)激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個(gè)改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機(jī)械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應(yīng)用于藍(lán)寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導(dǎo)體晶圓。

超薄硅片打孔是一項(xiàng)非常精細(xì)的工序，因?yàn)楣杵^薄，打孔的時(shí)候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達(dá)到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級(jí)，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實(shí)行激光打孔。其特點(diǎn)是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);

隨著硅半導(dǎo)體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導(dǎo)體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進(jìn)行切割，在晶圓上劃分出若干個(gè)圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體?；蛘卟捎玫氖欠蔷鶆驁A環(huán)、同一圓心角內(nèi)進(jìn)行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來(lái)的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個(gè)方向的位置、精度高、全自動(dòng)運(yùn)行，對(duì)晶圓切割的位置進(jìn)行準(zhǔn)確定位，切割出來(lái)的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應(yīng)性強(qiáng)，可以避免薄晶圓因切割破裂

晶圓是制造IC的基本原料，而晶圓便是硅元素加以純化，接著將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，再經(jīng)過照相制版、研磨、拋光、切片等程序，將多晶硅融解后拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。