車規(guī)IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
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車規(guī)IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
IGBT一種是功率半導(dǎo)體器件，用于電力轉(zhuǎn)換、變頻，相當(dāng)于電力電子領(lǐng)域的“CPU”。融合了 BJT和 MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)，具有高耐壓，大電流，低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)。
隨著技術(shù)的升級(jí)，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)功耗、關(guān)斷時(shí)間、開(kāi)關(guān)功耗均不斷減小，器件耐壓值由600V升至 7000V。其主要應(yīng)用包括傳統(tǒng)的工業(yè)控制和家電， 以及新興的電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域。
車規(guī)IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn)：
量程范圍寬—具有高電壓和大電流特性，電壓可高達(dá)3kV，電流可高達(dá)4000A（多模塊并聯(lián)）。
測(cè)量精度高—采用多量程設(shè)計(jì)架構(gòu)，各量程下均可保證0.1%精度，具有uΩ級(jí)精確測(cè)量、pA級(jí)電流測(cè)量能力。
模塊化測(cè)量單元—測(cè)量單元采用模塊化設(shè)計(jì)理念，可根據(jù)測(cè)試需求搭配不同規(guī)格測(cè)量單元。系統(tǒng)預(yù)留有升級(jí)空間，后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元，降低整體使用成本。
測(cè)試效率高—內(nèi)置專用開(kāi)關(guān)矩陣夾具，符合國(guó)標(biāo)測(cè)試要求，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元，提高測(cè)試效率。
產(chǎn)品應(yīng)用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
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周鵬
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