IGBT封裝形式

目前IGBT主要有以下幾種封裝形式： 一是TO標準塑封模塊結構，此結構較簡單，成本也較低，主要是單芯片或一個IGBT何一個二極管等 兩種形式，但是這種封裝形式的熱循環(huán)壽命有限。 二是工業(yè)/汽車級標準功率模塊結構，目前來看，只要功率高于幾個千瓦以上，都會采用這種模塊 封裝的形式，其特色是散熱好，功率循環(huán)和熱循環(huán)壽命相對不錯，且工藝相比其他形式更為成熟， 成本相對適中。 三是壓接式IGBT，這種封裝方式沒有焊層、引線鍵合，它最大的特色是功率容量大，擁有更高的安 全工作區(qū)（SOA），且具有失效短路特性，適用于串聯(lián)應用、可以承受較高電壓，但是工藝較為復 雜，成本較高。