上高儀器/儀表信息
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貴陽(yáng)干熱滅菌生物指示劑H6302K,干熱滅菌指示劑
劑。菌片含菌量為1×106~5×106cfu/片。D值為1.3~1.9分鐘。在溫度為160℃±2℃的條件下,存活時(shí)間≥3.9分鐘,殺滅時(shí)間≤19分鐘。干熱滅菌生物指示劑H6302K由菌體芽孢(安瓿)和酚紅培養(yǎng)液指示管二部份裝配成組合型產(chǎn)品。如果滅菌處理完全,芽孢全部死滅,培養(yǎng)液顏色保持紅色不變162022-04-14
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半導(dǎo)體特性曲線儀iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體特性曲線儀iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 典型應(yīng)用: 納米、柔性等材料特性分析; 二極管; MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;上高面議2025-06-17 -
漏電流 開短路測(cè)試 電氣特性測(cè)試數(shù)字源表
數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負(fù)載,支持四象限功能,可提供恒流測(cè)壓及恒壓測(cè)流功能,可簡(jiǎn)化芯片電性能測(cè)試方案。 在生產(chǎn)和老化測(cè)試時(shí),往往要求在同一時(shí)間內(nèi)完成對(duì)多個(gè)DUT的測(cè)試,或者在單個(gè)DUT上異步或者同步地運(yùn)行多個(gè)測(cè)試任務(wù)。基于普賽斯C上高面議2025-06-17 -
P系列脈沖源表IV測(cè)試激光器芯片
PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)30A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者上高面議2025-06-17 -
源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)
源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯實(shí)驗(yàn)平臺(tái)以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè),以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài),培養(yǎng)集成電路硬件測(cè)試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)上高面議2025-06-17 -
S型數(shù)字源表工作原理
數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器,在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到,源表集多表合一、配上專業(yè)軟件即可實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量,使用非常廣泛。 S型數(shù)字源表在一個(gè)半機(jī)架尺寸的儀器中結(jié)合了電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載等功能,這些測(cè)試功能,令數(shù)字源上高面議2025-06-17 -
HCPL100型高電流脈沖電源
HCPL100型高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通上高面議2025-06-17 -
科研機(jī)構(gòu)專用數(shù)字源表高精度
數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器,在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到,源表集多表合一、配上專業(yè)軟件即可實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量,使用非常廣泛。 S型科研機(jī)構(gòu)專用數(shù)字源表高精度使用直觀的觸摸屏控制和圖標(biāo)化操作界面,令新用戶通過(guò)簡(jiǎn)單操作快速獲取測(cè)試結(jié)果,大大上高面議2025-06-17 -
替代2651國(guó)產(chǎn)大電流數(shù)字源表
HCP系列大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,最大脈沖電流達(dá)100A,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。大電流源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體上高面議2025-06-17 -
8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻
8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 氣敏電阻測(cè)試 阻值測(cè)試本質(zhì)上是FIMV(加電流測(cè)電壓)或FVMI(加電壓測(cè)電流),獲取IV曲線后計(jì)算阻值。 普賽斯源表具有豐富的電壓電流量程: 電壓范圍0.3mV~300V,電流范圍100上高面議2025-06-17 -
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源,并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小,預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍,全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量,更上高面議2025-06-17 -
功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源
功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢18140663476最大輸出功率:350W,3500上高面議2025-06-17 -
直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%上高面議2025-06-17 -
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高上高面議2025-06-13 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料上高面議2025-06-13 -
功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適上高面議2025-06-13 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色: 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心,覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試;示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集上高面議2025-06-13 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲線,來(lái)決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相上高面議2025-06-13 -
高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)上高面議2025-06-13 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表上高面議2025-06-13
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