PRX快速可控硅R5030218FSWA感應(yīng)加熱服務(wù)周到

180元2023-09-17 11:59:54
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晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓、正向平均漏電流、反向漏電流、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓、反向重復(fù)峰值電壓、正向平均壓降 、通態(tài)平均電流、門觸發(fā)電壓、門觸發(fā)電流、門反向電壓和維持電流等,晶閘管有一個(gè)重要特點(diǎn),就是它一旦導(dǎo)通后控制即失去控制作用,器件始終處于 導(dǎo)通狀態(tài)除非陽(yáng)對(duì)陰電壓降低到很小,致使陽(yáng)電流降到某一數(shù)值之下。

晶閘管整流電路器件選擇:工頻整流是晶閘管元件常用的領(lǐng)域之一。元件選用主要考慮其額定電壓和額定電流。
1、晶閘管器件的正反向峰值電壓:應(yīng)為元件實(shí)際承受大峰值電壓UM的2-,即(2-3)。
2、晶閘管器件的額定通態(tài)電流:晶閘管的IT值指的是工頻正弦半波平均值,為使元件在工作過程中不因過熱損壞,流經(jīng)元件的實(shí)際有效值應(yīng)在乘以安全系數(shù)1.5-2后才能等于1.57IT。假設(shè)整流電路負(fù)載平均電流為Id,流經(jīng)每個(gè)器件的電流有效值為KId。

晶體管的主要參數(shù):
1、反向阻斷峰值電壓:在額定結(jié)溫和控制開路的條件下,允許重復(fù)加在陽(yáng)—陰間的大反向阻斷電壓;
2、正向阻斷峰值電壓:在額定結(jié)溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下,重復(fù)加在陽(yáng)—陰間的大正向阻斷電壓;
3、正向平均電流:在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下,允許連續(xù)通過工頻正弦半波電流的平均值;
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導(dǎo)通時(shí)管壓降的平均值,一般在0.4~1.2V;
5、維持電流:在室溫和控制開路時(shí),元件能維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的小陽(yáng)電流;
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流:在溫室下,陽(yáng)—陰間加規(guī)定的正向直流電壓,使晶閘管導(dǎo)通所需的小控制電壓和電流。

晶閘管的過電壓保護(hù) :
1、過電壓:當(dāng)加在晶閘管上的電壓超過額定電壓時(shí)稱為過電壓。
2、原因:電源變壓器的一次側(cè)斷開或接通、直流側(cè)感性負(fù)載的 切斷、快速熔斷器的熔斷、突然跳閘等。
3、措施:
①、阻容保護(hù) :吸收回路作用:一旦電路中發(fā)生過電壓,電容器被迅速充電,電容兩端的電壓不能突變,這就有效地抑制了過電壓。阻容吸收回路可以并聯(lián)在交流側(cè)、直流側(cè)或晶閘管側(cè);
②、非線性電阻保護(hù):目前常用的非線性電阻是金屬氧化物壓敏電阻,它具有正反向相同的很陡的電壓—電流特性;
電路正常工作時(shí),壓敏電阻不擊穿,通過的漏電流很小。壓敏電阻在遇到過電壓時(shí)可通過高達(dá)數(shù)千安的放電電流,之后又恢復(fù)正常, 因此它抑制過電壓的能力很強(qiáng);
由于壓敏電阻正反向特性對(duì)稱,單相電路中只用一只壓敏電阻,三相電路中用三只壓敏電阻。

晶閘管的使用注意事項(xiàng):選用晶閘管的額定電壓時(shí),應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量;
1、選用可控硅的額定電流時(shí),除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值;
2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換;
3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況;
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱;
5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置;
6、要防止可控硅控制的正向過載和反向擊穿。

可控硅與晶閘管有什么區(qū)別?
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件,可控硅是其簡(jiǎn)稱,按其工作特性,可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)??煽毓枰卜Q作晶閘管,它是由PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個(gè)電極、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G。可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生,而且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影??煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,符號(hào)也不同。
單向可控硅有三個(gè)PN結(jié),由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極,分別稱為陽(yáng)極和陰極,由中間的P極引出一個(gè)控制極。單向可控硅有其特的特性:當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓,或者陽(yáng)極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí),它都不導(dǎo)通,而陽(yáng)極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí),它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通,控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用,不論有沒有控制電壓,也不論控制電壓的極性如何,將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷,只有把陽(yáng)極電壓降低到某一臨界值或者反向。
雙向可控硅的引腳多數(shù)是按T1、T2、G的順序從左至右排列(電極引腳向下,面對(duì)有字符的一面時(shí))。加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向可控硅的區(qū)別是,雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí),其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變,從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽(yáng)極向陰極單方向?qū)?,所以可控硅有單雙向之分。電子制作中常用可控硅,單向的有MCR-100等,雙向的有TLC336等雙向可控硅按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按封裝分:分為一般半塑封裝,外絕緣式全塑封裝;按觸發(fā)電流來分:分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)電壓品種、高壓品種??煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門立的學(xué)科。“晶閘管交流技術(shù)”??煽毓璋l(fā)展到今天,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。
可控硅在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):
作為功率開關(guān)元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。因此可控硅元件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些應(yīng)用電路中,可控硅元件多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流電變流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。
可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。
可控硅有三個(gè)----陽(yáng)(A)、陰(C)和控制(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié),與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)??煽毓钁?yīng)用時(shí),只要在控制加上很小的電流或電壓,能控制很大的陽(yáng)電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我們可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只N管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用??僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)和陰之間加上一個(gè)正向電壓E,又在控制G和陰C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG2將產(chǎn)生基電流Ib2,經(jīng)放大,BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電電流IC2。因?yàn)锽G2集電與BG1基相連,IC2又是BG1的基電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電電流IC1送回BG2的基放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,對(duì)可控硅來說,觸發(fā)信號(hào)加到控制,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。
可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基的電流已不只是初始的Ib2,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果E性反接,BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過來,E接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),而正電壓大到超過一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。
可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。

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晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是,如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通??刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開陽(yáng)極電源(圖3中的開關(guān)S)或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,那么,在電壓過零時(shí),晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。
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